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Si3442CDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0.08
10
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
0.06
0.04
I D = 6.5 A
T J = 125 ° C
0.02
T J = 25 ° C
0.1
0
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0
2 4 6 8
10
1.1
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
25
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
20
0.95
15
I D = 250 μA
0.8
10
0.65
5
0.5
0
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
100
Limited by R DS(on) *
10
100 μs
1
0.1
0.01
0.1
T A = 25 ° C
1 ms
10 ms
100 ms
10s ,1 s
DC
BVDSS Limited
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 62654
S12-0976-Rev. A, 30-Apr-12
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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